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龙头企业产能和营收倍数成长,客户希望要更快

2023-06-26 人已围观

龙头企业产能和营收倍数成长,客户希望要更快的扩充速度,这家公司产品已经进入国际第一梯队 资讯获悉,环球晶董事长徐秀兰日前表示,今年公司碳化硅产能和营收都是倍数成长,

龙头企业产能和营收倍数成长,客户希望要更快的扩充速度,这家公司产品已经进入国际第一梯队

资讯获悉,环球晶董事长徐秀兰日前表示,今年公司碳化硅产能和营收都是倍数成长,就目前看,碳化硅扩充速度不够快,客户希望要更快,还要公司加快速度转8吋。当前8吋晶体已有好的表现,下半年在半导体展将展出环球晶碳化硅8吋产品。

一、第三代半导体功率器件呈现高频、高功率发展趋势

大功率、高密度快充电源逐渐成为市场主要发展趋势,以硅材料为基础的各种电力电子器件逐渐接近其理论极限值,难以在高压、高温、高频等特定环境使用。

目前以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)等为代表的第三代宽禁带半导体材料具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能,显示出比传统功率器件更优异的特性,正以高速增长趋势被应用于光伏逆变器、新能源汽车、充电桩、储能、服务器电源、数据中心、5G基站等诸多领域。

SiC器件拥有更小的尺寸和更低的开关频率损耗。相同规格的SiC基MOSFET与Si基MOSFET相比,其尺寸可大幅减小至原来的1/10,导通电阻可至少降低至原来的1/100。根据功率密度公式,更小的尺寸更有利于实现高频化,进一步实现高功率密度。另外,相同规格的SiC基MOSFET较Si基IGBT的总能量损耗可大大降低70%。

Yole预计碳化硅功率器件市场规模将由21年10.9亿美元增长至27年62.97亿美元,复合增长率达34%。未来碳化硅市场空间逐步扩大,IGBT向宽禁带半导体发展是必然的趋势。中信证券预计2025年中国导电型碳化硅需求量将达202万片,对应未来三年复合年均增长率为65.53%,对应导电型SiC衬底市场需求约100亿元,对应SiC同质外延片市场需求约191亿元。

二、迅速崛起的国产碳化硅企业,正完善全产业链

平安证券指出,碳化硅衬底作为第三代半导体材料,因其赛道的特殊性,单靠行业自身驱动力还不够,因此国家到各单位纷纷出台支持第三代半导体的发展政策,覆盖第三代半导体材料端、衬底端、器件端等。随着下游应用的高速发展,国内企业正迅速崛起,加速追赶国际龙头。

三、相关上市公司:天岳先进 天通股份 天富能源

天岳先进是国内最早从事碳化硅衬底产业化的企业之一,并经过多年自主创新,产品质量和产能产量规模已经进入国际第一梯队,获得国际上汽车电子、电力电子知名企业英飞凌、博世等客户的高度认可。 天通股份继磁性材料、蓝宝石晶体材料、压电晶体材料之后,又进行了第三代半导体化合物碳化硅衬底材料的布局,主要面向电力电子领域 天富能源所属参股公司天科合达是国内领先的第三代半导体材料--碳化硅晶片生产商,主要从事碳化硅领域相关产品研发、生产和销售。 

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